#1 |
数量:65119 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1188 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:57000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,1-3个工作日送达. |
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文档 |
Mold Compound 08/April/2008 Wire Bonding 07/Nov/2008 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 10.7nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 815pF @ 10V |
功率 - 最大 | 460mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SuperSOT |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 2.5 A |
RDS -于 | 50@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 7 ns |
典型上升时间 | 9 ns |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
典型下降时间 | 5.5 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
最大门源电压 | ±12 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.94 |
最大功率耗散 | 500 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 50@4.5V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 1.4 |
供应商封装形式 | SuperSOT |
包装长度 | 2.92 |
PCB | 3 |
最大连续漏极电流 | 2.5 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.5A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 3-SSOT |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 460mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 815pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 10.7nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 2.5 A |
栅源电压(最大值) | �12 V |
功率耗散 | 0.5 W |
漏源导通电阻 | 0.05 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SuperSOT |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 20 V |
弧度硬化 | No |
工厂包装数量 | 3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
宽度 | 1.4 mm |
下降时间 | 9 ns |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | PowerTrench |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 16 S |
Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
长度 | 2.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
系列 | FDN371N |
身高 | 1.12 mm |
安装风格 | SMD/SMT |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 500 mW |
上升时间 | 9 ns |
技术 | Si |
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